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新潔能NCEP068N10G：高性能功率MOSFET的卓越之選
在電子技術飛速發展的今天，功率MOSFET作為核心元件之一，廣泛應用于各類電源管理、電機驅動和功率轉換系統中。新潔能NCEP068N10G：高性能功率MOSFET的卓越之選，憑借其優秀性能和廣泛的應用場景，成為了眾多工程師和設計人員的首選。
NCEP068N10G是一款高性能的N溝道功率MOSFET，采用先進的屏蔽柵溝槽技術制造。
產品優勢
高效能表現
NCEP068N10G的低導通電阻和低柵極電荷特性，使其在開關過程中表現出色。低導通電阻減少了導電時的能量損耗，而低柵極電荷則降低了開關損耗，兩者的結合顯著提升了器件的能效。在高頻開關應用中，這種特性尤為突出，能夠有效降低系統的發熱，提高整體效率。
高可靠性
該產品的工作溫度范圍為-55℃~+150℃，能夠在極端溫度條件下穩定工作，適用于各種惡劣環境。此外，其耐壓100V的特性，使其在面對電壓波動時具有更強的抗干擾能力，確保系統的可靠運行。
緊湊設計
采用DFN-8封裝，體積小巧，散熱性能良好。這種封裝形式不僅節省了電路板空間，還便于散熱設計，特別適合于對空間和散熱要求較高的應用場景，如便攜式電子設備和高密度電源模塊。
優化的靜態與動態性能
與新潔能上一代SGT-I系列產品相比，SGT-II系列的特征導通電阻降低了20%，FOM值也進一步降低。這意味著在相同條件下，NCEP068N10G能夠提供更高的系統效率和更低的能耗。
高性價比
NCEP068N10G在性能優化的同時，保持了較高的性價比。相比一些國際品牌的同類產品，其價格更具競爭力，能夠為設計人員在成本控制和性能提升之間提供更優的選擇。
技術參數
該產品具有以下關鍵參數：
漏源電壓：100V，能夠承受較高的電壓，適用于多種高壓應用場景。
連續漏極電流：85A，在高電流負載下表現出色，確保穩定的電力傳輸。
導通電阻：6.1mΩ（典型值，@VGS=10V），極低的導通電阻顯著降低了功率損耗，提高了系統效率。
封裝形式：DFN-8（4.9x5.8），緊湊的封裝設計使其在有限的空間內實現高性能，特別適合對體積有嚴格要求的設備。
| 參數名稱 | 參數值 |
|---|---|
| 型號 | NCEP068N10G |
| 品牌 | 新潔能（NCE） |
| 封裝形式 | DFN-8（4.9x5.8） |
| FET 類型 | N 溝道功率 MOSFET |
| 漏源電壓（Vdss） | 100V |
| 連續漏極電流（Id） | 85A |
| 導通電阻（RDS(on)） | 6.1mΩ（典型值，@VGS=10V） |
| 柵源電壓（Vgs） | ±20V |
| 柵極電荷（Qg） | 60nC |
| 輸出電容（Coss） | 335pF |
| 上升時間（tr） | 11ns |
| 最大耗散功率（Pd） | 105W |
| 工作溫度范圍 | -55℃~+150℃ |
應用場景
電源管理
在開關電源、DC-DC轉換器和逆變器中，NCEP068N10G能夠提供高效、穩定的電力轉換。其低導通電阻和快速開關特性，有助于提高電源的轉換效率，降低能耗，同時減少發熱，延長設備的使用壽命。
電機驅動
對于電機驅動應用，如電動汽車、工業電機和家用電器中的電機控制，NCEP068N10G能夠提供強大的電流驅動能力。其高耐壓和低導通電阻特性，確保電機在高負載和高電壓條件下穩定運行，同時減少能量損耗，提高系統的整體效率。
通信設備
在基站電源、通信服務器和網絡交換設備中，NCEP068N10G的高頻開關性能和高可靠性，使其能夠滿足通信設備對電源效率和穩定性的嚴格要求。其緊湊的封裝設計也便于在有限的空間內實現高性能的電源管理。
新潔能NCEP068N10G是一款集高效能、高可靠性和緊湊設計于一體的高性能N溝道功率MOSFET。無論是在電源管理、電機驅動還是通信設備中，它都能提供卓越的性能和可靠的保障。選擇NCEP068N10G，就是選擇高效、穩定和未來。
