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上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產品BLP038N15與BLP05N15
2025年1月,上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產品。貝嶺150V SGT系列產品采用業界先進工藝,使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能;采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環終端結構,使得器件具有極低的導通電阻和較高的漏源間擊穿電壓Vdss;采用屏蔽柵極結構,器件獲得優良的開關性能,使得150V SGT系列產品具有極低的開關損耗。
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產品可廣泛應用于:
- 通信和數據中心服務器電源
- 叉車和輕型電動車電機驅動器
- 光伏儲能以及電池管理系統 (BMS)
- 不間斷電源 (UPS)

器件優勢:
1.超低導通電阻Rds(on)
貝嶺可提供國內業界極低導通電阻的150V SGT MOSFET系列產品。例如,BLP038N15的導通電阻典型值僅為2.9mΩ,相比于市場主流廠商同類低導通電阻產品,導通電阻降幅高達23%,可有效地降低功率器件在導通期間的損耗,顯著提升系統整機效率。貝嶺產品具有優良的Rds(on) 一致性,適合大功率并聯場景。
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2.低FOM 值
性能品質因數Figure of Merit (FOM= Rds(on)×Qg,Rds(on) 為器件導通電阻,Qg為器件柵極總電荷),簡稱FOM值,是評估MOSFET綜合性能的一個重要指標。較低的導通電阻代表SGT MOSFET在導通狀態下具有更低的損耗和更高的效率。較低的柵極總電荷代表SGT MOSFET可以更快地在導通和截止之間切換,從而減少功耗和提高性能。上海貝嶺BLP038N15在保證超低的導通電阻優勢下,極力控制器件柵極總電荷,使得該器件FOM值相較國內廠商同電壓等級產品具有顯著優勢。

3.器件封裝
為了滿足客戶在不同應用場景下的使用需求,上海貝嶺150V SGT產品在封裝選擇上,可以提供TO-220,TO-247為代表的插件安裝形式。與此同時,還提供以TOLL和TO-263-7代表的貼片安裝形式。對于高功率密度、電流密度設計,貝嶺推薦使用TOLL封裝的150V SGT 產品。TOLL封裝的典型占位面積為9.8mm * 11.73 mm與TO-263封裝相比,PCB面積可節省30%。TOLL封裝的外形高度僅為2.3 mm,占用的體積較TO-263減少60%,實現節省用戶PCB空間,使客戶產品更具成本優勢。
貝嶺TOLL-8 封裝圖:

4.優良的抗電流沖擊能力
貝嶺150V SGT產品具有高雪崩能力、低熱阻的特點,在電機應用中可以滿足電機短路大電流關斷的需求。
BLP038N15應用表現:
貝嶺針對大功率電機控制應用,基于貝嶺150V SGT產品, 設計20kW電機控制器驗證平臺,最高可支持96V電池應用,控制器實物如圖4左所示。貝嶺電機控制器驗證平臺采用疊層設計,上層為控制級,下層為功率級。功率級布局如圖4右所示,采用TO-263-7封裝,單相5管并聯。
貝嶺150V SGT 電機控制器驗證平臺(左) 功率板卡設計(右):
 功率板卡設計(右).png)
單管100A下應用中開通波形(左) 關斷波形(右):
 關斷波形(右).png)
貝嶺功率器件選型方案:
上海貝嶺功率器件150V產品線,歡迎垂詢!具體型號參考下表。對于多管并聯應用場景,可提供需求柵極閾值電壓Vth檔位篩選服務。
電壓等級 | 產品 | Rds(on) Type. | Rds(on) Max. | 產品類型 | 封裝類型 |
---|---|---|---|---|---|
150V | BLP038N15 | 2.9 | 3.8 | SGT | TOLL-8/TO-263-7 TO-220/TO-263/TO-247 |
BLP05SN15 | 4 | 5 |
本文由上海貝嶺授權經銷商南山電子轉載自上海貝嶺官方公眾號,轉載時內容略有修改。原文鏈接:https://mp.weixin.qq.com/s/5M1vLvoztqw1sfd7Z7vKBA。歡迎咨詢選購上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產品,如需產品詳細的規格書或最新報價,請咨詢南山電子官網在線客服。